Instrument Information

儀器資訊

預約
  • 校內單位 1800/小時
  • 校外學術單位 2400/小時
  • 校外非學術單位 2700/小時
  • 中文名稱: 電漿耦合式離子蝕刻系統
  • 英文名稱 Inductive Couple Plasma Etching System
  • 廠牌及型號 聚昌科技股份有限公司Cirie-200
  • 重要規格 1.腔體(Chamber):a.鋁合金:外部尺寸:440mm(L) × 440mm(W) × 145<<(H)，內部尺寸:ψ360mm × 128mm(H); b. 2”視窗 × 3 個; c.鋁合金門，氣動開啟 2.冷卻系統:在製程腔體三面、腔體下方、腔蓋及均有埋設水路，可依製程之須求保持腔體溫度。 3.上電極:a. ICP Window: 13.56 MHz RF Power; b.製程氣體進氣裝置: 製程氣體總閥與氣體盤面隔離，製程氣體進入後以分氣裝置均勻分氣。 4.下電極: RF導入a.鋁合金電極
  • 廠商連結 http://www.ast-taiwan.com.tw/english/index.html
  • 開放時段
  • 系所單位 電機工程學系
  • 放置地點 工學院606-1薄膜實驗室
  • 服務項目 薄膜蝕刻，可蝕刻種類： 1. 絕緣體：SiO2，Si3N4，Al 2O3，.... 2.半導體： Si，Ge，GaAs，GaN，.... 3. 透明導電膜 : ITO，ZnO，..(不包含金屬基材) 可通入氣體：Cl2、Ar、N 2 、O2 、CF 4 、BCl3。
  • 儀器管理員 藍文厚
  • 聯絡電話
  • Email whlan@nuk.edu.tw
  • 其他 不可自行操作
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